谢俊叶
. 2011, 42(S1): 18-0.
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真空共蒸发在玻璃衬底上制备CuInS2薄膜.研究不同Cu、In、S元素配比、不同热处理条件对薄膜的结构、化学计量比及光学性能的影响.实验结果给出:在元素配比中S的原子比X选择极为重要(实验选0.2≤X≤2),本实验Cu、In、S最佳原子比为1:0.1:1.2.用Cu:In:S=1:0.1:1.2原子比混合沉积的薄膜,经400℃热处理采用20min后,得到黄铜矿结构的CuInS2薄膜,沿[112]晶向择优生长,平均晶粒尺寸38.06nm;薄膜表面致密平整,厚度454.8nm,表面粗糙度13nm;薄膜中元素的化学计量比为1:0.9:1.5,光学吸收系数达105cm-1,直接光学带隙1. 42eV.