杨超, 姜淑印, 兰巨东, 曹晨阳, 刘雪莹, 李慧宇
摘要 (
)
PDF全文 (
)
可视化
收藏
Ag8SnSe6是一种具有本征低晶格热导率的三元n-型半导体材料,在热电领域颇受重视。但Ag8SnSe6化合物的载流子浓度(1022~1023 m-3)较低,进而导致了较低的功率因子。因此本研究采用化学扩散的方法制备了锂掺杂的Ag8SnSe6化合物,通过形成能及能带计算,探讨锂掺杂后Ag8SnSe6电导率提高的内在原因。计算结果表明,锂在Ag8SnSe6中间隙位置的形成能最低,锂更倾向于占据间隙位置,引入的Li+能够给材料体系提供额外的电子,在一定程度上能够提高载流子浓度;此外,掺杂锂改变了Ag8SnSe6的能带结构,使带隙减小,导带底更接近费米能级,电子跃迁更加容易,从而增大了费米面附近载流子浓度,载流子浓度从2.50×1022 m-3提升至5.58×1024 m-3,提高了2个数量级。由于电导率的增长速率明显超过Seebeck系数的下降速率,渗锂温度为373 K,渗锂时间为36 h时,Ag8SnSe6样品在618 K获得最大功率因子,为7.66 μW/(cm·K2),是本征样品最大功率因子(4.06 μW/(cm·K2))的1.89倍。最终,渗锂温度为373 K,渗锂时间为24 h时,Ag8SnSe6样品在605 K获得最大ZT值0.86,相较于本征样品(ZT=0.63)提升了~40%。