通过对于GaAs表面形貌在特定As BEP(0.01μTorr)、不同温度(570℃、560℃、550℃、540℃、530℃)下相变过程研究,研究发现随着温度的降低GaAs预粗糙化过程发生了不同程度的迟滞,特别当温度降至530℃附近时,延迟现象尤其明显,并且当温度远低于530℃时(As BEP 0.01μTorr)GaAs表面将不会发生预粗糙转变。采用二维艾辛模型建立方程结合实验数据获得的相关函数对这一现象进行理论解释,理论计算出GaAs粗糙化相变的临界转变温度为529℃,与实验中获得的数据吻合。采用理论上获得的临界转变温度,利用临界减慢理论对实验现象进行了合理的理论解释,认为在特定条件下(0.01μTorr As BEP)GaAs表面系统存在粗糙化临界转变温度,当衬底温度接近这一温度时,临界减慢现象将会发生;当温度低于临界转变温度时,无论延长多少时间表面形貌相变过程将不会发生。