冯嘉恒
. 2015, 46(18): 13-0.
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采用原子层沉积技术与改进的Al掺杂模式在石英玻璃基体上低温制备AZO薄膜, 利用椭圆偏振仪、原子力显微镜、X射线衍射仪、Raman光谱仪、X射线光电子能谱仪、Hall效应测试仪系统地对样品的生长速率、表面形貌、晶体结构、薄膜成分与电学性能进行了表征和分析. 结果表明, 采用原子层沉积在150℃下制备AZO薄膜, 其为六方纤锌矿结构, Al掺杂对ZnO的 (002) 有明显的抑制作用, Al在基体中弥散分布, 其部分替换ZnO晶格中的Zn, 以Al-O的形式存在于晶体中, 晶体中存在大量的氧空位. 最佳铝锌循环比为1:19, 此条件下AZO薄膜电阻率为4.61×10-4Ω?cm.