×
模态框（Modal）标题
在这里添加一些文本
关闭
关闭
提交更改
取消
确定并提交
×
模态框（Modal）标题
在这里添加一些文本
关闭
×
Toggle navigation
首页
关于本刊
期刊介绍
被收录情况
获奖情况
大事记
编委会
本届编委会
在线期刊
当期目录
最新录用
过刊浏览
阅读排行
下载排行
引用排行
E-mail Alert
作者中心
投稿指南
论文模板
参考文献著录规则
论文版权转让协议书
出版伦理
广告合作
期刊订阅
联系我们
English
镍间隙掺杂硅纳米线电子结构的研究
梁伟华;王秀丽;丁学成
Study of electronic structure of interstitial Ni-doping in silicon nanowires
LIANG Weihua;WANG Xiuli;DING Xuecheng
. 2011, (
07
): 1207 -1210 .
