C诱导层温度对Ge/Si量子点溅射生长的影响

功能材料 ›› 2014, Vol. 45 ›› Issue (05) : 7-0.

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Effect of C-induced layer temperature on the sputtering growth of Ge/Si quantum dots

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Received	Revised	Published
2013-06-03	2013-07-06	2014-03-15
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2014-03-15

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