MOCVD生长温度控制p型InGaN形貌和电学特性提高LED光功率

功能材料 ›› 2011, Vol. 42 ›› Issue (07) : 1227-1229.

研究与开发

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Surface morphology and electrical properties control of p-InGaN by MOCVD growth temperature to improve LED light power

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Received	Revised	Published
2010-10-22	2010-12-19	2011-07-25
Issue Date
2011-07-25

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