热丝CVD工艺参数对GeSi薄膜键结构影响的研究

功能材料 ›› 2010, Vol. 41 ›› Issue (10) : 38-0.

研究与开发

{{article.zuoZhe_CN}}

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Effect of process parameters on bonds structure of GeSi films by hot-wire CVD

{{article.zuoZhe_EN}}

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{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}. 2010, 41(10): 38-0

{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}. 2010, 41(10): 38-0

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Received	Revised	Published
2010-03-10	2010-04-14	2010-10-25
Issue Date
2010-10-25

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