Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基新型稀磁半导体磁电性质的研究进展

doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2021.02.008

功能材料 ›› 2021, Vol. 52 ›› Issue (2) : 2057-2065. DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2021.02.008

综述·进展

Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基新型稀磁半导体磁电性质的研究进展

{{article.zuoZhe_CN}}

作者信息 +

Research progress of magnetoelectric properties of I-Ⅱ-V group-based novel diluted magnetic semiconductor

{{article.zuoZhe_EN}}

Author information +

History +

本文亮点

HeighLight

摘要

Abstract

关键词

Key words

引用本文

EndNote

Ris (Procite)

Bibtex

导出引用

{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}. 2021, 52(2): 2057-2065 https://doi.org/10.3969/j.issn.1001-9731.2021.02.008

{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}. Journal of Functional Materials. 2021, 52(2): 2057-2065 https://doi.org/10.3969/j.issn.1001-9731.2021.02.008

参考文献

原文顺序 | 文献年度倒序 | 文中引用次数倒序

参考文献

基金

版权

PDF(3784 KB)

Accesses

Citation

Detail

段落导航

Received	Revised	Published
2020-08-17	2020-09-28	2021-02-28
Issue Date
2021-02-28

选择文件类型/文献管理软件名称

选择包含的内容

本文亮点

HeighLight

摘要

Abstract

关键词

Key words

引用本文

{{custom_sec.title}}

{{custom_sec.title}}

参考文献

参考文献

{{custom_fnGroup.title_cn}}

脚注

{{custom_ack.title_cn}}

基金

版权