氨气与温度对HCVD法合成GaN纳米材料的影响

doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2020.06.033

功能材料 ›› 2020, Vol. 51 ›› Issue (6) : 6200-6205. DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2020.06.033

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氨气与温度对HCVD法合成GaN纳米材料的影响

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Effect of ammonia and temperature on GaNnanomaterials synthesized by HCVD

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2020-01-19	2020-03-13	2020-06-30
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2020-06-30

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