16原子GaAs超胞中In替位式掺杂模型研究

doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2018.08.030

功能材料 ›› 2018, Vol. 49 ›› Issue (8) : 8178-8182. DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2018.08.030

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16原子GaAs超胞中In替位式掺杂模型研究

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Study of indium doped model of 16-atom GaAs supercell

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2018-02-27	2018-08-30
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2018-08-30

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