单靶磁控溅射法制备Cu<sub>2</sub>ZnSnS<sub>4</sub>薄膜及其异质结光电探测器

doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2018.06.027

功能材料 ›› 2018, Vol. 49 ›› Issue (6) : 6163-6167. DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2018.06.027

工艺·技术

单靶磁控溅射法制备Cu₂ZnSnS₄薄膜及其异质结光电探测器

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Preparation and characterization of Cu₂ZnSnS₄/n-Si heterojunction photodetector by single target magnetron sputtering

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Received	Published
2017-12-25	2018-06-30
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2018-06-30

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