三元共电沉积法制备Cu<sub>2</sub>ZnSnS<sub>4</sub>薄膜

doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2018.05.032

功能材料 ›› 2018, Vol. 49 ›› Issue (5) : 5185-5192. DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2018.05.032

工艺·技术

三元共电沉积法制备Cu₂ZnSnS₄薄膜

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Co-electrodeposition of CZT precursor for Cu₂ZnSnS₄ thin film absorber layer

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2017-11-30	2018-05-30
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2018-05-30

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