Xe/Pb离子辐照对注碳SiO<sub>2</sub>发光特性的影响

doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2018.01.011

功能材料 ›› 2018, Vol. 49 ›› Issue (1) : 1055-1058. DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2018.01.011

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Xe/Pb离子辐照对注碳SiO₂发光特性的影响

{{article.zuoZhe_CN}}

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Light emitting formation in C-doped SiO₂ after Xe/Pb-ion irradiations

{{article.zuoZhe_EN}}

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{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}. 2018, 49(1): 1055-1058 https://doi.org/10.3969/j.issn.1001-9731.2018.01.011

{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}. Journal of Functional Materials. 2018, 49(1): 1055-1058 https://doi.org/10.3969/j.issn.1001-9731.2018.01.011

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2017-12-09	2018-01-30
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2018-01-30

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{{custom_sec.title}}

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{{custom_fnGroup.title_cn}}

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