InAs沉积量对InAs/GaAs量子点表面形貌的影响

赵振;周海月;郭祥;罗子江;王继红;王一;魏文喆;丁召

功能材料 ›› 2015, Vol. 46 ›› Issue (23) : 2-0.
研究 开发

InAs沉积量对InAs/GaAs量子点表面形貌的影响

    {{javascript:window.custom_author_cn_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_CN}}
作者信息 +

Evolution of InAs/GaAs quantum dots morphology with different InAs supply

    {{javascript:window.custom_author_en_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_EN}}
Author information +
History +

本文亮点

{{article.keyPoints_cn}}

HeighLight

{{article.keyPoints_en}}

摘要

{{article.zhaiyao_cn}}

Abstract

{{article.zhaiyao_en}}

关键词

Key words

引用本文

导出引用
{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}. 2015, 46(23): 2-0
{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}. Journal of Functional Materials. 2015, 46(23): 2-0

参考文献

参考文献

{{article.reference}}

基金

版权

{{article.copyrightStatement_cn}}
{{article.copyrightLicense_cn}}

Accesses

Citation

Detail

段落导航
相关文章

/