HWCVD工艺参数对a-Si:H薄膜结构及其对单晶硅片钝化效果的影响研究

功能材料 ›› 2015, Vol. 46 ›› Issue (22) : 24-0.

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The structure and passivation effect for the c-Si wafer of a-Si:H films with different processing parameters by HWCVD

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Received	Revised	Published
2015-07-02	2015-09-11	2015-11-30
Issue Date
2015-11-30

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