偏置应力对InAlN/GaN HEMT直流特性的影响

功能材料 ›› 2015, Vol. 46 ›› Issue (01) : 16-0.

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Effects of bias-induced stress on AlInN/GaN high electron mobility transistors

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Received	Revised	Published
2014-05-04	2014-07-30	2015-01-15
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2015-01-15

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