埋层应变对溅射生长Ge量子点的影响

功能材料 ›› 2014, Vol. 45 ›› Issue (15) : 30-0.

工艺技术

埋层应变对溅射生长Ge量子点的影响

{{article.zuoZhe_CN}}

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Influences of buried strain on the growth of Ge quantum dots prepared by ion beam sputtering

{{article.zuoZhe_EN}}

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{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}. 2014, 45(15): 30-0

{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}. Journal of Functional Materials. 2014, 45(15): 30-0

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Received	Revised	Published
2013-10-18	2013-11-17	2014-08-15
Issue Date
2014-08-15

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{{custom_sec.title}}

{{custom_sec.title}}

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{{custom_fnGroup.title_cn}}

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