热处理气氛对溶胶凝胶法制备a-InGaZnO TFT器件的影响

功能材料 ›› 2013, Vol. 44 ›› Issue (03) : 442-445.

工艺 ·技术

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Effect of annealing on characteristics of amorphous InGaZnO thin film transistors fabricated by sol-gel technical

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Received	Revised	Published
2012-06-30	2012-10-20	2013-02-15
Issue Date
2013-02-15

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