射频溅射ZnO作为缓冲层的HVPE法生长高质量GaN厚膜

功能材料 ›› 2011, Vol. 42 ›› Issue (02) : 29-0.

研究与开发

{{article.zuoZhe_CN}}

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Process Research of RF-ZnO Buffer Layer for Thick GaN Film Growth

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{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}. 2011, 42(02): 29-0

{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}. Journal of Functional Materials. 2011, 42(02): 29-0

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Received	Revised	Published
2010-06-07	2010-07-09	2011-02-25
Issue Date
2011-02-25

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{{custom_sec.title}}

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