以ZnO为缓冲层制备硅基氮化镓薄膜

功能材料 ›› 2010, Vol. 41 ›› Issue (S1) : 3-0.

研究与开发

以ZnO为缓冲层制备硅基氮化镓薄膜

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Fabrication of GaN films on ZnO buffer layer deposited on Si(1 1 1) substrates

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Received	Revised	Published
2010-02-09	2010-03-05	2010-06-25
Issue Date
2010-06-25

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