CeO2-Ga2O3共掺杂制备高密度氧化铟锡靶材及其电性能研究

doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2026.08.020

功能材料 ›› 2026, Vol. 57 ›› Issue (8) : 168-174. DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2026.08.020

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CeO₂-Ga₂O₃共掺杂制备高密度氧化铟锡靶材及其电性能研究

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Study on the preparation and electrical properties of CeO₂-Ga₂O₃ Co-doped high-density indium tin oxide targets

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Received	Revised	Published
2026-01-12	2026-02-26	2026-08-30
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2026-09-07

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