晶体硅中深浅能级掺杂电子结构差异的第一性原理研究

doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2026.08.019

功能材料 ›› 2026, Vol. 57 ›› Issue (8) : 162-167. DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2026.08.019

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First-principles investigation of electronic structure differences between deep-level and shallow-level dopants in crystalline silicon

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Received	Revised	Published
2026-05-15	2026-06-22	2026-08-30
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2026-09-07

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